图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
IPx65R150CFD |
| 最大门源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 4.85(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 16.15(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 34700 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 150@10V |
| 最大漏源电压 | 700 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TO-220 Full-Pack |
| 包装长度 | 10.65(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 22.4 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 22.4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 标准包装 | 1 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220 Full Pack |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 34.7W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2340pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 86nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 22.4 A |
| 系列 | IPA65R150 |
| RDS（ON） | 0.15 Ohms |
| 功率耗散 | 195.3 W |
| 商品名 | CoolMOS |
| 零件号别名 | SP000907026 |
| 漏源击穿电压 | 700 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 0.7 nC |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 22.4A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| 宽度 | 4.85 mm |
| Qg - Gate Charge | 86 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 22.4 A |
| 长度 | 10.65 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 135 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 52.8 ns |
| 身高 | 16.15 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 典型导通延迟时间 | 12.4 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 34.7 W |
| 上升时间 | 7.6 ns |
| 技术 | Si |
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